晶體三*管正偏二次擊穿熱阻抗測試儀

晶體三*管正偏二次擊穿、熱阻抗測試系統可測試**型號中、大功率晶體管的二次擊穿電壓和熱阻抗參數。系統軟件基于微軟視窗系統的操作環境，使您輕松掌握測試。
本系統采用計算機自動控制，為用戶提供友好直觀的操作界面，測試數據處理方便，自動繪制PD（熱阻功率）曲線和二次擊穿曲線，并求兩曲線的交點，在該交點及其附近靠內一點測試器件的熱阻值。
主要特點
正偏二次擊穿電壓測試可測試NPN型晶體三，管，熱阻抗測試可測試**型號中、大功率晶體管
測試方法靈活、開放：
靈活的M值測試，可控制測試過程中不測試M值而自行輸入M值
可定時測試，穩態熱阻測試也可定特定時間內，溫差測試
加熱電源可遙控也可手動
采用**微機控制，基于Windows系統的控制軟件，具有友好的人機交互界面，窗口填表式編程，測試結果以表格及圖形曲線方式顯示，使您輕松掌握測試。
，指標
加熱電壓源：0-300V 負載能力：3.5A，可根據用戶需要進行功率擴展，，到10A
加熱電流源IH：
電流量程       分辨力     精度
-250mA-250mA   122uA     ±(610uA+2%set)
±(250mA~2.5)A 1.22mA    ±(6.1mA+2%set)
±(2.5A~3.5)A 12.2mA    ±(61mA+2%set)
測量電流源IM
電流量程：-250mA~250mA
分辨力：122uA
精    度：±(244uA+0.5%set)
VBE電壓表：
電壓量程        分辨力    精度
-312.5~312.5mV 152.5uV ±(1.22mV+1%Rdg)
±(312.5~625)mV 305uV    ±(1.22mV+0.8%Rdg)
±(0.625~1.25)V 0.61mV   ±(2.44mV+0.3%Rdg)
±(1.25~2.5)V   1.22mV   ±(2.44mV+0.25%Rdg)
VCE電壓表
電壓量程          分辨力     精度
-8.125~8.125V     3.97 mV   ±(7.94mV+0.25%Rdg)
±(8.125~16.25)V 7.94mV    ±(15.88mV+0.25%Rdg)
±(16.25~32.5) V 15.88mV   ±(31.76mV+0.25%Rdg)
±(32.5~65) V     31.76mV   ±(63.52mV+0.25%Rdg)
±(65~130) V      63.52mV   ±(127.04mV+0.25%Rdg)
±(260~300) V     127.04mV ±(254.08mV+0.25%Rdg)
加熱脈沖寬度
脈寬：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms
      1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s
（1s以上的測試需要，測試盒使用**散熱器）
參考點溫度測量
測量范圍：10℃~125℃
精    度：±0.5℃

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聯系人：劉經理；聯系電話：010-89942170、89942167、15652257065；傳真：010-89942170

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